Встроенная память необходима для управления современными цифровыми приборами, элементами и устройствами: начиная от всех видов компьютеров и кофеварок и вплоть до роботов и телекоммуникационных сетей. Поэтому все мировые производители ищут способы уменьшить физический объем встроенного типа памяти, чтобы получить возможность разрабатывать устройства меньшего размера, дешевле и мощнее. Исследователи из EPFL и BIU в Израиле сделали важный шаг в направлении минимизации памяти с помощью новой конструкции, которая сокращает количество кремния, необходимого для заданного объёма хранения, на 50%, одновременно снижая потребность в электроэнергии. Они уже оформили семь патентов на свои исследования и их результаты. Сейчас группа исследователей находится в процессе поиска инвестиций для RAAAM, чтобы продать свою технологию корпорациям, занимающихся полупроводниковой промышленностью.
Хитрость заключается в использовании меньшего количества транзисторов
Система, разработанная исследователями EPFL и BIU, организует транзисторы особым образом, что позволяет экономить значительное количество пространства и энергии. Память, называемая GC-eDRAM, нуждается всего в двух или трёх транзисторах для хранения минимального количества данных, по сравнению с шестью или восемью в обычной SRAM. Это освобождает место на чипах, чтобы добавить больше памяти или сделать их меньше, чтобы было больше места для других компонентов. Это также уменьшает количество энергии, необходимой для обработки заданного объёма данных.
За последнее десятилетие были достигнуты значительные успехи в вычислительной логике, но никаких революционных изменений во встроенной памяти не произошло. «Компоненты микросхем стали намного меньше, но с точки зрения фундаментальных принципов они практически одинаковы», — говорит Андреас Бург, профессор Лаборатории телекоммуникационных схем EPFL и один из основателей RAAAM. Другие типы eDRAM уже есть на рынке.
«Они не используются широко в полупроводниковой промышленности, потому что они не совместимы со стандартными тех.процессами изготовления чипов. Они требуют специальных этапов производства, которые являются сложными и дорогостоящими», — говорит Роберт Гитерман, постдок в EPFL и CEO RAAAM. GC-eDRAM, разработанный его командой, мал и мощен, как и другие подобные типы памяти, но его можно легко интегрировать в стандартные технологические процессы.
Эта команда уже работала с ведущими производителями полупроводников для тестирования их GC-eDRAM, проводя испытания на чипах от 16 нм до 180 Нм, содержащих около десятка интегральных схем со встроенной памятью объёмом до 1 Мб. По итогам работ были сделаны выводы, что производители могут заменить существующую память на своих чипах, не меняя ничего в производстве, говорится в пресс-релизе инженерной школы EPFL.
А какую память используете вы?
